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[圖(tu)文(wen)]2013年8月19日-我國碳化硅行(xing)業(ye)經過40多年的發展取得(de)了長足的進步,無論是(shi)冶煉技術、生(sheng)(sheng)產(chan)裝備還是(shi)能耗(hao)指標都(dou)已經達到水平;生(sheng)(sheng)產(chan)能力、實際產(chan)量、國內消費(fei)量以及產(chan)品。

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碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)的(de)(de)分(fen)析(xi)方法楊繼光馬(ma)麗(li)娟摘(zhai)要:闡述了碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(SiC)的(de)(de)化(hua)學分(fen)析(xi)方法,比較和(he)分(fen)析(xi)了中國(guo)和(he)日本(ben)在SiC分(fen)析(xi)方面的(de)(de)差別,加(jia)快(kuai)中國(guo)SiC工業(ye)發展提出(chu)了建議。

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本發明涉及(ji)一種碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)表面改性方法。將碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)粉末焙(bei)燒用雙氧水(shui)與(yu)(yu)濃(nong)硫酸混合溶液浸泡;取出用去離子水(shui)沖洗干(gan)凈并烘干(gan),再與(yu)(yu)偶(ou)聯劑反(fan)應1~4小時,把碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)再放入丙酮溶液。

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本發(fa)明提(ti)供一種碳化(hua)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶的(de)制造方法,在(zai)使(shi)碳化(hua)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶在(zai)單(dan)(dan)(dan)晶基板(ban)上外延生長時,能(neng)夠減少在(zai)碳化(hua)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶內產生的(de)表(biao)面缺陷(xian)。該方法是在(zai)單(dan)(dan)(dan)晶基板(ban)(1)的(de)表(biao)面使(shi)碳化(hua)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶層外延。

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2010年9月19日-本標(biao)準規定了碳(tan)化硅磨料中的(de)二氧化硅、游離(li)硅、游離(li)碳(tan)、總碳(tan)、碳(tan)化硅、三氧化二鐵(tie)的(de)測定方法。本標(biao)準適用于碳(tan)化硅磨料及(ji)碳(tan)化硅含量(liang)大于等于95%的(de)結(jie)晶塊。

一種碳化硅表面改性方法

新聞資訊:首頁(ye);;新聞資訊;;碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)的產品(pin)(pin)分(fen)類與功能說明碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)的產品(pin)(pin)分(fen)類與功能說明碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)有黑碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)和(he)綠碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)兩個常用的基本(ben)品(pin)(pin)種,都屬α-SiC。①。

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《碳化(hua)硅產(chan)品出(chu)口質量安全(quan)手冊(ce)》座(zuo)談會在鄭州舉行(xing)出(chu)自(zi)《磨(mo)料磨(mo)具(ju)通訊》2012年第12期(qi)。該刊(kan)暫未被《中文(wen)科技期(qi)刊(kan)數(shu)據庫》收錄,故無法提(ti)供全(quan)文(wen)下載(zai)。

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更(geng)新日(ri)期(qi):2014-10-11,英才圖書(shu)文化發展有限公司,專業(ye)(ye)生(sheng)產碳化硅生(sheng)產新工藝新技術(shu)實用手冊,15100727882,400-0829993(來自(zi)一呼(hu)百應企(qi)業(ye)(ye)商鋪(pu)b2b.youboy.)。

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類別(bie):礦物--碳硅(gui)范圍:國內(nei)買/賣:賣品名(ming):碳化(hua)硅(gui)規(gui)格(ge):SiC-70%minSiC-50%min數量(liang):常年工廠大(da)量(liang)供(gong)應價格(ge):產地(di):安陽包(bao)裝:噸(dun)袋。

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碳化(hua)(hua)硅有黑(hei)(hei)碳化(hua)(hua)硅和綠碳化(hua)(hua)硅兩個常用(yong)的基該品種,都屬-SiC。黑(hei)(hei)碳化(hua)(hua)硅含SiC約95%,其(qi)韌性高于(yu)綠碳化(hua)(hua)硅,大多用(yong)于(yu)加工(gong)抗張強度低(di)的材(cai)料,如(ru)玻璃、陶瓷、石材(cai)、耐火材(cai)料。

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2012年(nian)10月(yue)3日-碳化(hua)硅(gui)的(de)使用方法及注(zhu)意事項有以下四條:小(xiao)編(bian)(bian)1、碳化(hua)硅(gui)產品包裝(zhuang)聚丙(bing)烯(xi)編(bian)(bian)織袋(dai)與聚乙烯(xi)薄膜(mo)雙層包裝(zhuang),分25公斤和(he)50公斤兩種包裝(zhuang)。小(xiao)編(bian)(bian)2、扒凈(或扒40%-。

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供(gong)應(ying)綠碳(tan)化硅(gui)微粉,供(gong)應(ying):產品(pin)名稱:綠碳(tan)化硅(gui)微粉(1200#)報價:15000產品(pin)規格:原產地:河南(nan)洛陽應(ying)用(yong)行業:金屬加工,陶瓷加工,電子信息材(cai)料(liao)(liao)加工,磨料(liao)(liao)制造應(ying)用(yong)。

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2012年12月22日-碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)中硅(gui)的含量決定碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)的硬度。下面我們(men)來看一下碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)微粉的主要(yao)分析檢(jian)測(ce)方法有哪(na)些檢(jian)測(ce)辦法:硅(gui)的含量需(xu)要(yao)原子吸(xi)收檢(jian)測(ce)。碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)粒(li)徑需(xu)要(yao)電阻法顆(ke)粒(li)。

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《SN/T0256-1993出口(kou)(kou)碳(tan)(tan)化硅(gui)分析方(fang)法(fa)碳(tan)(tan)化硅(gui)含(han)量的(de)(de)測定》本(ben)標準(zhun)規定了用于冶(ye)金脫氧劑和(he)耐火材(cai)料的(de)(de)出口(kou)(kou)碳(tan)(tan)化硅(gui)中碳(tan)(tan)化硅(gui)含(han)量的(de)(de)分析方(fang)法(fa)。本(ben)標準(zhun)適用于出口(kou)(kou)中、低品(pin)位。

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碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)電(dian)熱元件(jian)(jian)(jian)概(gai)述碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)電(dian)熱元件(jian)(jian)(jian)是選用優質綠(lv)色(se)碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)為主要原(yuan)料,經(jing)加工制坯、高(gao)(gao)溫(wen)硅(gui)化、再(zai)結(jie)晶而(er)成的棒狀非(fei)金屬高(gao)(gao)溫(wen)電(dian)熱元件(jian)(jian)(jian)。該元件(jian)(jian)(jian)與金屬電(dian)熱元件(jian)(jian)(jian)相比,具有(you)使(shi)用。

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又(you)到了小編(bian)為大家(jia)產(chan)品知識的時間了,對于碳(tan)(tan)化硅(gui)的介紹相信大家(jia)了解了不少了。小編(bian)為大家(jia)講講碳(tan)(tan)化硅(gui)的應(ying)用方法:碳(tan)(tan)化硅(gui)現在在市(shi)場(chang)上被使用的是相當廣泛(fan)的,。

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中(zhong)國(guo)機床工(gong)(gong)具(ju)工(gong)(gong)業協會磨料磨具(ju)分會編纂的《碳(tan)化硅產品出口質量安全手冊》評審會于2012年12月(yue)10日在鄭州(zhou)嵩山飯(fan)店舉(ju)行,出席此次會議(yi)的有商務部對外貿易司安麗麗處長,中(zhong)國(guo)。

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碳化硅含(han)量大于90、95%,常(chang)年使(shi)用產品數量:10噸價格(ge)說明:協議(yi)產品規(gui)格(ge):自然塊或顆(ke)粒、200目(mu)細粉包(bao)裝說明:內塑外編發布日期:2008-9-1915:41:00有效期。

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2013年(nian)5月21日-2、碳(tan)化硅(gui)中硅(gui)的(de)(de)含量決定碳(tan)化硅(gui)的(de)(de)硬度。碳(tan)化硅(gui)的(de)(de)粒徑大小對線(xian)切割影響很大,但重要的(de)(de)是碳(tan)化硅(gui)的(de)(de)顆粒形(xing)狀(zhuang)。3、檢測辦(ban)法:硅(gui)的(de)(de)含量需要原子吸收檢測。

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本發(fa)明公開了一(yi)種碳(tan)化硅微粉除(chu)碳(tan)雜質的方(fang)法,該(gai)方(fang)法包括以下步驟:首先向碳(tan)化硅微粉中注水造漿,加入分散劑后調(diao)節pH值,后采用離心設備對(dui)碳(tan)化硅漿料離心,接著將漿料重新(xin)。

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碳化硅(gui)(gui)寬(kuan)帶(dai)隙半(ban)導體技(ji)術作者:郝躍,彭軍,楊銀(yin)堂編著出(chu)版社(she):科學出(chu)版社(she)出(chu)版時(shi)間:2000.5叢編項:微電子(zi)學叢書(shu)本書(shu)介(jie)紹了碳化硅(gui)(gui)寬(kuan)帶(dai)隙半(ban)導體的基本性(xing)質(zhi),晶體及薄膜生長。

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