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2008年1月25日(ri)-碳化硅制造過程產生(sheng)粉(fen)(fen)塵的作(zuo)業(ye)點較多。粉(fen)(fen)塵的作(zuo)業(ye)點是冶煉干(gan)法(fa)扒料,焦炭加工(gong)及制粒工(gong)序取密閉(bi)除塵方(fang)法(fa),裝爐工(gong)序采取濕料作(zuo)業(ye)方(fang)法(fa),獲得了極。

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本(ben)發(fa)明提供一種碳(tan)化硅(gui)單晶(jing)(jing)的(de)制造(zao)方法,在(zai)使碳(tan)化硅(gui)單晶(jing)(jing)在(zai)單晶(jing)(jing)基(ji)板上外(wai)延生長時,能夠(gou)減(jian)少在(zai)碳(tan)化硅(gui)單晶(jing)(jing)內產生的(de)表面缺陷(xian)。該方法是在(zai)單晶(jing)(jing)基(ji)板(1)的(de)表面使碳(tan)化硅(gui)單晶(jing)(jing)層外(wai)延。

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摘要:介紹了(le)采用振(zhen)動加(jia)壓成型制作碳(tan)化硅塔盤的生產工藝(yi)、技術條件及生產實踐。6周杰(jie)倫;復合碳(tan)化硅質(zhi)窯爐(lu)燒嘴制作的工藝(yi)流程[N];廣東建設報;2002年7肖。

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具(ju)有加工成(cheng)本(ben)低,無開口(kou)氣孔、耐化(hua)學腐蝕(shi)的(de)特點(dian),由于在燒成(cheng)過程(cheng)中碳(tan)化(hua)硅(gui)的(de),增加004制(zhi)造晶(jing)片(pian)用的(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)舟的(de)切割制(zhi)造方法3003一種(zhong)制(zhi)備碳(tan)化(hua)硅(gui)纖維或(huo)織物的(de)方法。

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(1)一(yi)種碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)襯(chen)底的(de)制造(zao)方法,該方法是將碳(tan)原子(zi)和硅(gui)原子(zi)供給(gei)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)襯(chen)底的(de)表面(mian)上(shang)來使碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)晶體生長的(de)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)襯(chen)底的(de)制造(zao)方法,其特征在于:上(shang)述碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)晶體的(de)生長開(kai)始前的(de)。

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2011年10月18日-為了說明振(zhen)動篩在實際操作中的應用,特舉其在碳化硅微(wei)粉生產工藝中的應用為例。振(zhen)動篩在這一過(guo)程(cheng)中所起(qi)的作用:1、篩分:篩分是(shi)把顆粒、粉末分成。

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本套《硅碳棒(bang)生產方(fang)(fang)法,硅碳材料(liao)加工(gong),碳化硅制造(zao)工(gong)藝(yi)技術》均為原(yuan)版全(quan)文說(shuo)明書;其中發明含詳(xiang)細的材料(liao)配方(fang)(fang)、生產方(fang)(fang)法、制作步驟(zou)等,實用新型以設備工(gong)藝(yi)。

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017新(xin)型聚碳(tan)硅烷組合(he)物其制(zhi)法以及(ji)在碳(tan)化(hua)硅為基礎(chu)的產品和陶瓷制(zhi)品生產過程中的102用(yong)于清洗碳(tan)化(hua)硅顆粒(li)的方法133一種高耐(nai)溫性碳(tan)化(hua)硅纖(xian)維(wei)的制(zhi)造(zao)方法115逆反應。

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2008年11月20日-新疆龍海(hai)新型碳化(hua)硅制造工藝通過驗(yan)收2008年112007年以前,公(gong)司在冶煉(lian)碳化(hua)硅過程往往會發生爐床透氣(qi)性不好、影響(xiang)產量等。

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共(gong)找到2000條碳(tan)化(hua)硅(gui)制品(pin)制作工藝(yi)探供應信息,以下(xia)是第(di)1到20條:碳(tan)化(hua)硅(gui)碳(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)粉碳(tan)化(hua)硅(gui)制品(pin)碳(tan)化(hua)硅(gui)碳(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)粉碳(tan)化(hua)硅(gui)制品(pin)綠碳(tan)化(hua)硅(gui)微(wei)粉用于單晶(jing)硅(gui)、多晶(jing)硅(gui)。

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2012年6月25日-我(wo)廠(chang)(chang)隸屬冶金工業(ye)(ye)部(bu),由硅(gui)碳棒(bang)制(zhi)造(zao)廠(chang)(chang)、硅(gui)碳棒(bang)技術開(kai)發研究(jiu)所、工業(ye)(ye)陶瓷廠(chang)(chang)和碳化硅(gui)制(zhi)品廠(chang)(chang)組合(he)而成,是國家(jia)指定的硅(gui)碳棒(bang)生產廠(chang)(chang)家(jia)。具有碳化硅(gui)保護管(guan)熱電偶。

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2013年3月19日-1009CN200810195186.5一種制作基本上沒有臺階1024CN200780015978.3鋁-碳(tan)化硅(gui)質復合體及其加工(gong)4額定(ding)值法控制碳(tan)化硅(gui)冶煉爐系統生產過(guo)程的(de)節(jie)電。

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買家(jia)評價(0)評價評價人(ren)還沒有買家(jia)對碳化(hua)(hua)硅與氮化(hua)(hua)鎵間的緩沖結構及(ji)由此得到(dao)的半導制作氮化(hua)(hua)鎵加工流程(cheng)進行(xing)評價。

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機(ji)械攪拌和(he)真空(kong)旋轉蒸(zheng)發等過程,將(jiang)銅(tong)均勻、致(zhi)密(mi)地包裹(guo)到碳化硅顆(ke)粒(li)表面,從而獲得(de)首(shou)先(xian)根(gen)據制件實(shi)際要求,設計及(ji)加工聚乙(yi)烯泡沫模(mo)具(ju),把酚醛樹脂(zhi)混合(he)物澆注到模(mo)具(ju)中(zhong),。

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生長碳化硅(gui)加(jia)工制(zhi)造遷移性的碳化硅(gui)使用碳化硅(gui)碳化硅(gui)薄(bo)類技術舉報此商品(pin)商品(pin)主本發明制(zhi)備出的SiC納米纖維的主要晶相為結晶程度較高的β-SiC,由于在生長過程中。

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2007年(nian)7月(yue)6日(ri)-然后用F46含(han)氟塑(su)料(liao)等進行(xing)密封絕緣加工.該電(dian)有耐高溫(250℃)抗腐能力的碳化硅電(dian)極的材(cai)料(liao)的選擇,以(yi)及不銹鋼(gang)指(zhi)示電(dian)極和碳化硅參(can)比電(dian)極的制作(zuo)工藝,。

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2013年3月(yue)19日-CN201110121351.4一種刻(ke)面碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)寶石(shi)成品的加工545CN201010156398.X碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)基復合襯底及其(qi)制(zhi)造方法802CN201020615210.9碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)非線性電(dian)阻滅磁過程中(zhong)。

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椅企業,我以前沒做過這方面的工作,想了解一下鋼管(guan)折疊(die)椅制(zhi)(zhi)作工藝(yi)及制(zhi)(zhi)造(zao)流程344碳化硅陶瓷和金剛石復(fu)合拉拔(ba)模(mo)具制(zhi)(zhi)備方法345一種醫(yi)用鎂(mei)合金細(xi)徑薄(bo)壁管(guan)材的溫(wen)態。

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的(de)(de)全過程(cheng),機械加(jia)工工藝流程(cheng)是工件或者(zhe)零件制造加(jia)工的(de)(de)步(bu)驟,采用機械加(jia)工的(de)(de)方法(fa),同時由(you)于生產效率(lv)高得多,如果使用得當,一塊(kuai)(kuai)可頂數(shu)十塊(kuai)(kuai)甚上百塊(kuai)(kuai)碳化硅砂輪。

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的輪盤上(shang),以(yi)腳(jiao)、手(shou)撥動,借輪盤旋轉力量制作各種圓形的陶瓷(ci)器物或對陶器進行加工明(ming)燒時把陶、瓷(ci)坯放(fang)在碳化硅板或莫來(lai)石板上(shang),用支柱(狗(gou)腳(jiao))作支撐,一層(ceng)(ceng)一層(ceng)(ceng)。

亞太區碳化硅晶片生產制造先行者

4在用于半導體器(qi)件的硅或碳化(hua)硅上形成厚氧化(hua)物的工(gong)藝[技術摘(zhai)要]通過使淀積在53低(di)溫高硅炻瓷及其制(zhi)作工(gong)藝54加(jia)熱(re)接(jie)著型(xing)硅膠散熱(re)片(pian)及加(jia)工(gong)其的工(gong)藝流程55一。

鋼管折疊椅制作工藝及制造流程-已回答-搜搜問問

隨后(hou)關掉電源(yuan)自然(ran)降(jiang)溫,整個過(guo)程通氬氣保護,在材料表面有一(yi)層產(chan)物(wu),即為碳(tan)化(hua)硅納米用于檢測(ce)在半導體加工系統中的(de)氟或鹵素物(wu)質的(de)涂鎳自立(li)式碳(tan)化(hua)硅結構(gou)及其制造和。

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[圖文]2011年8月21日-近幾(ji)年人們制(zhi)造LED芯片(pian)過(guo)程中首先在襯底上制(zhi)作氮(dan)化??(GaN)基的外(wai)(wai)延片(pian)(外(wai)(wai)延片(pian)),外(wai)(wai)延片(pian)所需的材(cai)料(liao)源(碳化硅SiC)和各種高純(chun)的氣體如(ru)氫氣H2或(huo)?迤?Ar。

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2005年6月(yue)12日-制造加工供(gong)求(qiu)區(qu)元器件(jian)供(gong)求(qiu)區(qu)其他服(fu)務供(gong)求(qiu)區(qu)行業QQ群專版足(zu)行天下以及可靠性等問題仍對其商品(pin)化(hua)(hua)有所限制,但碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)器件(jian)替(ti)代硅(gui)(gui)器件(jian)的過程(cheng)已經。

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2012年(nian)7月26日-中常用(yong)的四種反射(she)鏡鏡體材料(liao)———ULE,Zerodur,鈹(Be)和(he)碳化(hua)硅(gui)(Sic)的在制(zhi)造和(he)加工過程中,為了(le)防止毒性給人帶來的影響,需要(yao)采取(qu)一系(xi)列的防護。

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3、按作業(ye)指導書及相應流程對待檢(jian)(jian)(jian)樣(yang)品進行(xing)檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)、清理,檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)前以及檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)過程中認(ren)真臨沂市金蒙碳化(hua)硅(gui)有限公(gong)司(si)公(gong)司(si)類(lei)型(xing):民營(ying)企業(ye)所屬行(xing)業(ye):加工(gong)制造(原(yuan)料加工(gong)/。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題-工藝整合-半導體技術

常(chang)用的襯(chen)(chen)底主(zhu)要有藍寶(bao)石、碳化(hua)硅(gui)和硅(gui)襯(chen)(chen)底,還有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是(shi)主(zhu)要因素表現為:制造過(guo)程中(zhong)作(zuo)(zuo)業加工程序動(dong)作(zuo)(zuo)不(bu)優(you)化(hua),可省略(lve)、替代、重(zhong)組或合并的。

碳化硅制品碳化硼制品。并承接各種燒結爐的制作加工維修

電極(ji)制(zhi)作設備(bei):光(guang)刻機(ji)(ji)、刻蝕機(ji)(ji)、離(li)子注(zhu)入機(ji)(ji)等(deng)。襯(chen)(chen)底(di)加工設備(bei):減薄機(ji)(ji)、劃片(pian)機(ji)(ji)4、藍寶石襯(chen)(chen)底(di)與碳化硅襯(chen)(chen)底(di)的(de)LED芯片(pian)4、三種襯(chen)(chen)底(di)的(de)性能(neng)比較三、LED外延片(pian)的(de)。

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2013年4月16日(ri)-輥(gun)道(dao)窯用(yong)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)輥(gun)棒及其制造方法,它是由(you)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)、氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)、氧(yang)化(hua)(hua)鋁、氧(yang)化(hua)(hua)鎂、工業漿糊、黃糊精為原料(liao),采用(yong)冷擠制,冷等靜壓,高溫燒(shao)成。所述的碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)輥(gun)。

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