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碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

陶(tao)瓷材(cai)料等離子(zi)發(fa)射(she)光譜法微量雜質(zhi)元素測(ce)定(ding)微電子(zi)工業發(fa)動機雜質(zhi)分析高溫技術(shu)聚變裝置微量元素。

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如碲(di)化鉛(qian)(PbTe)、砷化銦(InAs)、硫化鉛(qian)(PbS)、碳化硅(SiC)等。與(yu)金屬材料(liao)不同,半導(dao)體(ti)中(zhong)雜質(zhi)含量(liang)和外界條件的改變(bian)(如溫度變(bian)化、受光照射(she)等),都會使(shi)半導(dao)體(ti)的。

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怎樣去除(chu)碳(tan)(tan)化硅制品中的(de)(de)雜(za)質沒有任何(he)一件事物是(shi)(shi)沒有雜(za)質的(de)(de),即便是(shi)(shi)很(hen)多化學原(yuan)料(liao)或者(zhe)經過(guo)多重步驟產生的(de)(de)高科技產品,所(suo)以,目(mu)前市場上出(chu)現的(de)(de)碳(tan)(tan)化硅產品也有很(hen)多雜(za)質。但(dan)是(shi)(shi)。

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本發明涉及一種應用(yong)X射(she)線熒光光譜法檢測碳(tan)化硅(gui)雜質含量(liang)的方法,其(qi)步驟如下:1、制(zhi)備(bei)測試樣片(pian);2、制(zhi)備(bei)標準(zhun)樣片(pian):①提純(chun)碳(tan)化硅(gui)的制(zhi)樣;②碳(tan)化硅(gui)提純(chun),制(zhi)備(bei)出純(chun)品(pin)碳(tan)化硅(gui);③。

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現在的原料主要成分(fen)是硅和碳化硅的混合(he)物(wu),里面(mian)含有少量鐵(tie)雜質,怎樣除去鐵(tie),請各位(wei)賜教(jiao),謝謝。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

2012年12月28日-碳化(hua)硅晶體中的(de)雜質(zhi)(zhi)是(shi):鐵、鋁、鈣、鎂、硅等的(de)氧化(hua)物(wu)和碳化(hua)物(wu),以(yi)及(ji)它們(men)的(de)共熔物(wu)。這些雜質(zhi)(zhi)在(zai)冶煉爐熱動力條件(jian)下(xia),溫度在(zai)2100——2200℃時(shi)被蒸發排。

如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-

[24]β-碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)因其相較α-碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)擁有更高(gao)的(de)(de)比表面積,所以可用(yong)于非均(jun)相催(cui)化(hua)(hua)劑的(de)(de)負(fu)載體。純的(de)(de)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)是無色的(de)(de),工業用(yong)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)由于含有鐵等(deng)雜質而呈現棕色黑色晶體。

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開(kai)始時間:結束時間:雜質(zhi)碳(tan)加工工藝-催化(hua)劑,二氧化(hua)碳(tan),碳(tan)化(hua)硅,X射線,生產(chan)碳(tan)化(hua)硅版(ban)的(de)出價/購(gou)買記錄(lu)Top一口價:元該物(wu)品(pin)已下架立即購(gou)買。

碳化硅-維基百科,自由的百科全書

導熱(re)率:碳化(hua)硅制品的導熱(re)率非常非常高(gao),熱(re)膨脹參數小(xiao)巧(qiao),抗熱(re)震性非常非常高(gao),是(shi)優質的耐(nai)火(huo)材料。3、電(dian)學屬性恒(heng)溫下工業碳化(hua)硅是(shi)一種半導體(ti),屬雜(za)質導電(dian)性。高(gao)純度。

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舉報文檔(dang)(dang)介紹暫無描述文檔(dang)(dang)分類(lei)(lei)待分類(lei)(lei)文檔(dang)(dang)格式.pdf文檔(dang)(dang)標簽加熱棒(bang)碳化硅石墨雜質數值溫度評(ping)論(lun)評(ping)論(lun)的時候,請遵紀守法并(bing)注(zhu)意語言文明,多給文檔(dang)(dang)。

碳化硅的特性和根本機能

碳化(hua)硅中(zhong)(zhong)雜質的(de)(de)形(xing)態(tai)-碳化(hua)硅中(zhong)(zhong)雜質的(de)(de)形(xing)態(tai)碳化(hua)硅的(de)(de)研(yan)發(fa)成功并很(hen)好的(de)(de)利用是(shi)市場發(fa)展過程中(zhong)(zhong)的(de)(de)一大進步點,特別(bie)是(shi)對于1893年艾奇(qi)遜的(de)(de)發(fa)明為引子,由此推出的(de)(de)國內由趙廣和(he)。

供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地

2011年6月(yue)14日-碳(tan)化(hua)硅在(zai)現代工業生產中的(de)應(ying)用(yong)范圍比較廣泛,比較為(wei)人(ren)們所了解的(de)是應(ying)用(yong)于(yu)磨料、磨具領域。但是隨著科(ke)學(xue)技(ji)術的(de)進步,人(ren)們對碳(tan)化(hua)硅的(de)認識也(ye)逐漸深入,由此開發。

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碳化硅(gui)(SiC)是用石英砂、石油焦(jiao)(或煤焦(jiao))、木(mu)屑為原料(liao)通(tong)過(guo)電阻(zu)爐高溫冶煉而成。碳化硅(gui)在大自(zi)然(ran)也存在罕見的礦物,莫(mo)桑石。碳化硅(gui)又(you)稱<a。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴

碳化(hua)硅;物理性(xing)(xing)質性(xing)(xing)狀(zhuang):綠(lv)色(se)藍(lan)黑色(se)結晶(jing)性(xing)(xing)粉末.含雜(za)質的碳化(hua)硅為綠(lv)色(se),固性(xing)(xing)狀(zhuang):綠(lv)色(se)藍(lan)黑色(se)結晶(jing)性(xing)(xing)粉末.含雜(za)質的碳化(hua)硅為綠(lv)色(se),固溶有炭和金屬氧(yang)化(hua)物雜(za)質呈黑色(se)。密(mi)。

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論(lun)(lun)文天(tian)下(xia)提供(gong)的(de)<二(er)次離子質(zhi)譜分析(xi)碳化(hua)硅中釩雜質(zhi)含量的(de)研究;論(lun)(lun)文包括碳化(hua)硅二(er)次離子質(zhi)譜釩摻雜定(ding)量分析(xi)二(er)次離子質(zhi)譜分析(xi)離子注入樣品(pin)等其他相關內容論(lun)(lun)文。

jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..

2013年4月24日-碳化硅(gui)(gui)俗稱金剛石,又稱碳硅(gui)(gui)石,主(zhu)要用作耐(nai)磨材料(liao),耐(nai)火(huo)材料(liao),核反(fan)應(ying)堆材料(liao)及制造電阻發熱硅(gui)(gui)碳棒(管),半導(dao)體元件(jian),C二級管,晶體管,電器元件(jian),火(huo)箭噴管等。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅

產(chan)業領域:新(xin)能(neng)源光伏(fu)需(xu)(xu)求(qiu)類(lei)型(xing):技術服務需(xu)(xu)求(qiu)編號:189-07制粉是碳(tan)化(hua)(hua)硅微粉生產(chan)中(zhong)的重(zhong)要工序,但由于碳(tan)化(hua)(hua)硅的硬度(du)較高(gao),其莫氏硬度(du)為9.5級,在莫氏硬度(du)標(biao)準(zhun)中(zhong)僅低于金剛(gang)石。

碳化硅-搜搜百科

本文采(cai)用(yong)ICP-MS法對高(gao)純碳化硅粉表面的(de)Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質(zhi)進(jin)行測(ce)定,用(yong)氫氟酸(suan)溶液(ye)浸(jin)提試樣表面雜質(zhi),用(yong)釔做內(nei)標補償。

碳化硅|化合物-查字典

一(yi)種無TiC雜(za)質相的(de)碳化硅鈦(tai)(tai)陶瓷(ci)粉(fen)體的(de)合(he)成(cheng)方法,其特征在于(yu):(1)以Ti粉(fen)、Si粉(fen)和TiC本(ben)發(fa)明公開了一(yi)種低(di)成(cheng)本(ben)無TiC雜(za)質相的(de)碳化硅鈦(tai)(tai)陶瓷(ci)粉(fen)體的(de)常(chang)壓合(he)成(cheng)方法,。

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碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司

2008年5月9日-碳(tan)化(hua)硅電(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)子器件(jian)研發進展(zhan)與存在(zai)問(wen)題,1引言借助于微(wei)電(dian)(dian)(dian)子技術(shu)(shu)的(de)長足(zu)發展(zhan),以硅器件(jian)為基礎的(de)電(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)子技術(shu)(shu)因大功率場效應晶體管(功率MOS)和(he)絕緣柵雙極晶體。

要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸

1、游(you)離硅(gui)。它一部分溶解(jie)于(yu)(yu)(yu)SiC晶(jing)體中(zhong),一部分與其(qi)雜質(zhi)(如鐵、鋁、鈣等)形(xing)成合金而粘附于(yu)(yu)(yu)晶(jing)體上或(huo)嵌在晶(jing)體中(zhong)。2、游(you)離二氧化硅(gui)。通常(chang)存在于(yu)(yu)(yu)晶(jing)體表面。大都是由于(yu)(yu)(yu)。

請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧

對SiC中基(ji)態(tai)施主(zhu)能(neng)級分裂對雜質(zhi)電離的(de)(de)影(ying)響,與溫度、摻雜濃(nong)度和雜質(zhi)能(neng)級深度的(de)(de)關(guan)系進行了系統研究。發現只有在高溫且摻雜濃(nong)度低的(de)(de)情況下,能(neng)級分裂的(de)(de)影(ying)響很小可忽略不計。

(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法

氮化(hua)硅結合碳化(hua)硅材料反(fan)應燒結時的雜質相行為分析,郝小勇;-陶(tao)瓷(ci)工程1998年(nian)第03期在線閱(yue)讀、文章下載。<正(zheng);l前言Si3N4結合SIC材料的研究(jiu)近(jin)年(nian)來在國內發展較快,該。

ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace

分析了Si3N4結合(he)Si3C材料反(fan)(fan)(fan)應(ying)燒(shao)結時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質相(xiang)的反(fan)(fan)(fan)應(ying)行為。氮化硅結合(he)碳化硅材料反(fan)(fan)(fan)應(ying)燒(shao)結時(shi)的雜(za)質相(xiang)行為分析前言:分析了Si3N4結合(he)Si3C材料。

碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)

[圖文(wen)]目前,國內使用的(de)切割(ge)液(ye)和碳化硅微粉(fen)在線切割(ge)過(guo)程中,砂漿中不可避免的(de)會(hui)混入硅粉(fen)、鐵、高聚物(wu)等(deng)雜質,部分碳化硅微粉(fen)也會(hui)因切割(ge)作(zuo)用而出現破損,產(chan)生的(de)廢砂漿很難繼續。

一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼

氮(dan)化硅結(jie)合(he)碳化硅材(cai)料反應燒結(jie)時的(de)(de)雜質相(xiang)行(xing)為分析(xi)-分析(xi)了Si3N4結(jie)合(he)Si3C材(cai)料反應燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相(xiang)的(de)(de)反應行(xing)為。

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碳化硅(gui)質泡沫陶(tao)瓷(ci)(ci)過濾片(pian),去孔(kong),濾渣(zha),吸附雜質泡沫陶(tao)瓷(ci)(ci)過濾片(pian)簡介泡沫陶(tao)瓷(ci)(ci)過濾器的過濾機理:整流(liu)作用:在澆(jiao)鑄系(xi)統中放置泡沫陶(tao)瓷(ci)(ci)過濾片(pian)后,金(jin)屬液流(liu)阻力增大,。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

淄博鑄泰碳素有限公(gong)司碳化(hua)硅簡介:碳化(hua)硅英文名(ming)稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純(chun)碳化(hua)硅是(shi)無色透明的(de)(de)晶(jing)體(ti)。工(gong)業碳化(hua)硅因所含(han)雜質的(de)(de)種類和含(han)量不同(tong),而呈淺黃、綠、藍。

工業生產的碳化硅砂除主成分SiC外,通常含有2%~5%的雜質。這些

SiC中基態施主能級分裂對雜質電離的影響-碳化硅;基態施主能級

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