金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化物(wu)碳化硅避雷器電力電纜電壓(ya)響應過沖保(bao)護(hu)性能(neng)殘壓(ya)測試回(hui)路相近似(si)電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈(mo)沖(chong)激光(guang)退火(huo)納(na)米碳(tan)化(hua)硅(gui)的光(guang)致發(fa)光(guang)于威,何杰,孫運濤,韓理(li),在(zai)電(dian)流激發(fa)方面存在(zai)較大困難,因此(ci)對(dui)碳(tan)化(hua)硅(gui)發(fa)光(guang)材料(liao)的制備及發(fa)光(guang)特(te)性進行分析(xi)對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米碳化硅的(de)脈沖激光燒蝕沉積及其光學(xue)特(te)性(xing)研究姓名(ming):孫(sun)運濤(JFET,可達到電流水平400mA/mm,電導(dao)的(de)指標lOOmS/mm)以(yi)及用6H—SiC制(zhi)作的(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年(nian)5月(yue)9日(ri)-1998年(nian)已(yi)有(you)頻率(lv)(lv)1.3GHz,脈沖輸出(chu)功率(lv)(lv)400W的報道(dao)[;。2.2碳化(hua)硅(gui)(gui)功率(lv)(lv)雙(shuang)極(ji)與碳化(hua)硅(gui)(gui)功率(lv)(lv)MOS相比,對3000V以上的阻斷電(dian)(dian)壓,其通態電(dian)(dian)流密度(du)可(ke)以高出(chu)幾個(ge)。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日(ri)-從而具(ju)有非常高(gao)的(de)浪涌電流承受能力和穩定的(de)過(guo)壓中的(de)PFC級應用(yong)在瞬時脈(mo)沖(chong)和過(guo)壓狀態下(xia)具(ju)有更(geng)高(gao)利(li)用(yong)具(ju)有獨特性(xing)能的(de)碳化硅作為器件材(cai)料,能制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高(gao)頻脈沖電(dian)鍍(du)(du)Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性耐磨性陽極(ji)極(ji)化結(jie)構研究了電(dian)源頻率、占空比、陰極(ji)電(dian)流密度(du)及鍍(du)(du)液中鈷1袁逖(ti);高(gao)頻脈沖電(dian)沉(chen)積鎳鈷碳化硅鍍(du)(du)層耐蝕(shi)性耐磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的(de)138kV電(dian)力電(dian)纜產生(sheng)的(de)幾十萬伏、2萬安以(yi)上的(de)電(dian)流、波頭時間約50ns的(de)脈沖(chong)。被試(shi)品為9kV金屬氧化(hua)物及碳化(hua)硅避雷器。避雷器的(de)電(dian)壓響應包括陡的(de)過沖(chong)電(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國陸軍研究人員正在向行(xing)業尋求(qiu)開發(fa)進(jin)的碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)(dian)子技術種高等(deng)級配(pei)置的高壓(ya)開關,脈沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)(dian)壓(ya)10000V,電(dian)(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準(zhun)分子脈(mo)沖激光(guang)退火技術(shu)制備了(le)納(na)米(mi)(mi)晶態碳化(hua)硅薄(bo)(bo)膜(nc—SiC),并對(dui)薄(bo)(bo)膜的(de)光(guang)致發光(guang)(PL)特性進行了(le)分析(xi)。結(jie)果表明,納(na)米(mi)(mi)SiC薄(bo)(bo)膜的(de)光(guang)致發光(guang)表現為(wei)300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文(wen)]V為驅動脈沖(chong)電(dian)壓,驅動電(dian)流為脈沖(chong)電(dian)流.V為驅動脈沖(chong)電(dian)壓,驅動電(dian)流為脈沖(chong)電(dian)流.收藏此頁推(tui)薦給好(hao)友09-23[技術資(zi)訊(xun)]碳化硅在高溫范圍(wei)內具(ju)有低(di)開(kai)關損(sun)耗的(de)MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種(zhong)(zhong)改進(jin)的(de)過壓(ya)和浪涌電(dian)流能力可(ke)以使二(er)極(ji)管的(de)壓(ya)力減小(xiao),使應用具(ju)(ju)有(you)更(geng)高的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。SiC肖特基二(er)極(ji)管——適(shi)合各種(zhong)(zhong)供電(dian)條件的(de)解決方案利用具(ju)(ju)有(you)獨(du)特性(xing)能的(de)碳(tan)化硅作為器件。
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諸暨市(shi)特耐工程陶瓷有限公司碳化(hua)(hua)硅(gui)脈沖類型(xing):脫(tuo)硫除(chu)塵(chen)器(qi)林格曼黑度:3級(ji)品(pin)牌:帕特納型(xing)號:碳化(hua)(hua)硅(gui)噴嘴脫(tuo)硫率:97(%)除(chu)塵(chen)率:96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易網為您提供(gong)。
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2010年8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶體管,射頻峰值(zhi)功(gong)率(lv)達2200瓦,可用于大功(gong)率(lv)超高頻脈沖系統的另(ling)一些(xie)優點包括簡化阻抗匹配,125伏的操縱(zong)電(dian)壓(ya),低(di)電(dian)導電(dian)流,高峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法制(zhi)備(bei)碳(tan)/碳(tan)化硅(gui)復合材料界(jie)面(mian)的微觀(guan)結構與性(xing)能研(yan)究袁明(ming)(ming),黃政仁,董紹明(ming)(ming),朱云洲,江東亮(liang)中國科(ke)學(xue)院上(shang)海硅(gui)酸鹽研(yan)究所(suo),上(shang)海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)(xue)碩士學(xue)(xue)位論(lun)文納米碳化(hua)硅的脈沖激(ji)光(guang)燒蝕(shi)沉積及(ji)其光(guang)學(xue)(xue)特(te)性研究姓名:孫運濤申請(qing)學(xue)(xue)位級別(bie):碩士專業:光(guang)學(xue)(xue)指導教(jiao)師:于(yu)威20030101摘要本(ben)工作采(cai)用脈沖激(ji)光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年(nian)1月(yue)30日(ri)-美國陸軍研究人員(yuan)正(zheng)在向行業尋求開發進的(de)碳化硅(SiC)半(ban)導體(ti)功率(lv)電(dian)(dian)子技(ji)術種高等級配置的(de)高壓開關(guan),脈沖電(dian)(dian)壓15000V,小電(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)流峰(feng)值30A,。
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[圖(tu)文]從而具有非常高的(de)浪涌電流承(cheng)受能力和穩定(ding)的(de)過壓特(te)性。網中的(de)PFC級應用(yong)在瞬時脈沖(chong)和過壓狀態(tai)下具有更高的(de)利(li)用(yong)具有獨特(te)性能的(de)碳化硅作為器件材料,能制造出接近。
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通(tong)過(guo)激光(guang)脈(mo)沖波(bo)形與光(guang)電(dian)(dian)流脈(mo)沖波(bo)形的(de)比較(jiao),估算(suan)出2種(zhong)光(guang)導(dao)開關的(de)載流子壽命和載流子的(de)基礎(chu)上改進設計,研制出了工作(zuo)電(dian)(dian)壓超過(guo)10kV、工作(zuo)電(dian)(dian)流超過(guo)90A的(de)碳化硅光(guang)導(dao)。
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2008年9月26日-這些測試(shi)包括使用1祍脈(mo)沖,開關時間比為1000,在“開”狀態驅動(dong)電流是100本(ben)文鏈(lian)接(jie):碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件包含五(wu)項重要特征(zheng):高(gao)介電強(qiang)度、高(gao)工作溫度、大電流密度、高(gao)開(kai)關速度,如(ru)何在高(gao)效(xiao)脈(mo)沖跳頻模式下選擇輸出(chu)濾(lv)波(1)智能電視前進路上的三座。
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1200V增強型(xing)碳化硅縱向(xiang)結(jie)型(xing)場效應晶體管功率模(mo)塊(kuai)《電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子》2011年第4期開關測試采用了標準的雙脈沖感性(xing)負載電(dian)(dian)路,在600V、100A、溫度分別(bie)為(wei)25℃和150。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文]2012年4月16日(ri)-既能滿足電子模塊的正(zheng)常(chang)工作(zuo)電流(圖1中的If),也能承受ISO7637-2脈(mo)沖[新品(pin)快訊(xun)]美(mei)高森美(mei)推出(chu)碳化硅(SiC)材料和(he)技(ji)術的全新1200V肖特(te)基(ji)二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標(biao)簽:600509石墨(mo)烯碳化硅背景資(zi)料老(lao)孟股(gu)票具有電(dian)荷這種性質,電(dian)荷的傳導能夠形成電(dian)流(liu)并成為電(dian)子采用脈沖(chong)電(dian)子輻照(zhao)技術在SiC基底上外延石墨(mo)烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er)(er):電(dian)流互感(gan)器(qi)(qi)保(bao)護用于保(bao)護電(dian)流互感(gan)器(qi)(qi)即(ji)CTPU.典型應(ying)用于互感(gan)器(qi)(qi)二(er)(er)次過壓保(bao)護,此類電(dian)阻片的(de)靈活性使其得到(dao)廣范(fan)應(ying)用,可用于熒光燈的(de)尖峰脈沖抑制(直徑為26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞(huai)的(de)(de)避雷(lei)器閥片來看,這些避雷(lei)器的(de)(de)閥片所(suo)用的(de)(de)碳化硅比較松散,多半是這根電(dian)線(xian)有脈(mo)沖電(dian)流(liu)渡過,這時,測定在配(pei)電(dian)線(xian)路的(de)(de)導體上感應的(de)(de)電(dian)壓波形。相應的(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其(qi)是碳化(hua)硅(gui)微粉磨的生(sheng)產加工(gong)中(zhong),粉塵外泄問題(ti)為(wei)嚴重,上(shang)海卓亞礦山機械(xie)有(you)限(xian)公司研究(jiu)者為(wei)其(qi)進行相應的分析(xi)與設備的改造(zao)實驗,終(zhong)得出使用脈(mo)沖除(chu)塵器(qi)的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文(wen)]2011年8月4日(ri)-現在(zai)還有許(xu)多公司在(zai)用不同的基底(如(ru)藍寶石(shi)和碳化硅)生產GaNLED,這些LED該電路的基本(ben)功能是產生低頻、快速、大功率驅動電流脈(mo)沖信號,輸出脈(mo)沖的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日(ri)-1998年已有頻率(lv)(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)(lv)400W的報道[;。2.2碳(tan)化硅(gui)功率(lv)(lv)雙(shuang)極開(kai)發碳(tan)化硅(gui)BJT的主要(yao)問題是提高電流增益(yi)。早期(qi)6H-SiCBJT的電流增益(yi)只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵器,分號機,粉(fen)(fen)碎(sui)機,氣流磨(mo),青島精華PZ粉(fen)(fen)碎(sui)機的用(yong)途及(ji)適應范圍:化工(gong)等物科的粉(fen)(fen)碎(sui),尤(you)其(qi)適用(yong)于碳化硅、剛玉、石(shi)英、烙煉(lian)石(shi)英、石(shi)餾石(shi)等物科的粉(fen)(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化(hua)硅(gui)顆粒化(hua)學鍍鎳(nie)對鐵基復合材料性能的影響張躍波1,宗亞平1,曹新建1,張龍21.東北(bei)大(da)學材料各(ge)向異性與織構教育部(bu)實(shi)驗室沈陽1108192.金策工業綜合。