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碳化矽-維基百科,自由的百科全書

碳(tan)(tan)化(hua)矽(xi)(SiC)俗(su)稱金(jin)剛砂,為矽(xi)與碳(tan)(tan)相(xiang)鍵結而(er)成的陶瓷狀化(hua)合(he)物,碳(tan)(tan)化(hua)矽(xi)在大自然以莫(mo)桑石這種稀罕的礦(kuang)物的形(xing)式存在。自1893年起碳(tan)(tan)化(hua)矽(xi)粉末被大量用(yong)作磨料(liao)。將碳(tan)(tan)化(hua)矽(xi)。

PDF添加鋁矽酸鹽礦物於多微孔性

以氮化鎵(jia)(GaN)和碳化矽(Sic)為代表的(de)第(di)三代半導(dao)體材料,具有禁帶寬度(du)(du)大、擊穿電(dian)場高、熱導(dao)率大、電(dian)子飽和漂移(yi)速度(du)(du)高、介電(dian)常數小、抗輻射(she)能力(li)強、化學穩定性好(hao)。

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利用碳(tan)化(hua)矽滲碳(tan)和氰(qing)化(hua),蓋培;-機床與工(gong)具(ju)1954年第01期在線閱(yue)讀、文章下載(zai)。<正;碳(tan)化(hua)矽的(de)滲碳(tan)和氧(yang)化(hua)是蘇聯發明的(de)熱(re)處理方法。碳(tan)化(hua)矽滲碳(tan)碳(tan)化(hua)的(de)滲碳(tan)的(de)原理是。

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俗稱金(jin)剛砂(sha)的碳化(hua)(hua)矽(xi)(SiC),為矽(xi)與碳結合(he)而成的陶瓷狀化(hua)(hua)合(he)物,由於天(tian)然(ran)含量甚少,碳化(hua)(hua)矽(xi)主要多為人造;常見的方法是將(jiang)石英(ying)砂(sha)與焦(jiao)炭混合(he),并加入(ru)食(shi)鹽和木屑,置入(ru)電(dian)爐中(zhong),。

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SiC碳化(hua)矽功率(lv)模組(zu)全(quan)(quan)球個全(quan)(quan)碳化(hua)矽功率(lv)模組(zu)SiC碳化(hua)矽MOSFET與(yu)蕭特基二極體組(zu)合成全(quan)(quan)SiC碳化(hua)矽功率(lv)模組(zu)。全(quan)(quan)新原創電場減緩結構,加(jia)上新的篩選(xuan)方法,成功。

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當(dang)溫度(du)到達600℃時(shi),碳化矽(xi)須即失(shi)其強度(du);但新的SiC纖(xian)維則可毫不(bu)被破(po)壞地在(zai)載重下長(chang)期地忍受1200℃的火焰。雖然(ran)現在(zai)還沒(mei)有關於制造新纖(xian)維的經濟資(zi)料,但看來(lai)將之(zhi)。

SiC-SBD

陶(tao)(tao)瓷(ci)散熱(re)(re)片(pian)系利用碳(tan)化矽Sic之高導(dao)熱(re)(re)性的特(te)性再配合上開放性多孔隙之陶(tao)(tao)瓷(ci)燒結技術,制造(zao)一導(dao)熱(re)(re)散性能佳(jia),體積(ji)輕薄之陶(tao)(tao)瓷(ci)散熱(re)(re)片(pian),在現今高科(ke)技電(dian)子材料不斷追求微小化與。

神奇的碳化矽纖維

各種不(bu)同(tong)碳化矽(SiC)的用(yong)途簡介1).RSiC再結晶(jing)碳化矽適用(yong)於(wu)溫度到1600℃.運(yun)用(yong)鑄造法可制成支架,滾筒,橫梁,卡式盒,坩堝,厚板,熱(re)交換(huan)器。

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煉得(de)的碳化矽(xi)塊,經破碎(sui)、酸堿(jian)洗、磁(ci)選和篩分(fen)或水選而制(zhi)成各種粒度的產品(pin)。碳化矽(xi)有(you)黑碳化矽(xi)和綠碳化矽(xi)兩個常用(yong)的基(ji)該(gai)品(pin)種,都屬α-SiC。黑碳化矽(xi)含SiC約95%。

各種不同碳化矽(SiC)的用途簡介

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[圖文]根據法國Yole研究機構預估2003年全球(qiu)碳(tan)(tan)化矽(SiC)半導體晶圓約生(sheng)產25萬片,2007年將(jiang)可達(da)80萬片,年復合(he)成長率(lv)為34%。個電子碳(tan)(tan)化矽零組件(jian)Schottky二極體與。

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碳(tan)化矽(xi)(SiC)俗稱金剛砂,為矽(xi)與(yu)碳(tan)相鍵結(jie)而成(cheng)的(de)陶(tao)瓷狀化合物,碳(tan)化矽(xi)在大自(zi)然經常用于顎式破碎機(ji)顎板、大型挖掘機(ji)斗齒、圓錐(zhui)式破碎機(ji)破碎壁(bi)、砸(za)臼壁(bi)。

市場報導:2007年碳化矽(SiC)晶圓將可達80萬片

2012年2月3日(ri)-碳化(hua)矽(xi)(SiC)功率(lv)器件(jian)的市場者科銳公司(Nasdaq:CREE)日(ri)前宣布(bu)推(tui)出(chu)全新系(xi)列封裝型二(er)極管(guan)(guan)。在現(xian)有(you)碳化(hua)矽(xi)肖特基二(er)極管(guan)(guan)技術(shu)條件(jian)下,該系(xi)列二(er)極管(guan)(guan)可(ke)提(ti)供。

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2012年6月11日-碳(tan)化矽(SiC)半(ban)導體(ti)/電子(zi)設(she)備,與傳統的矽為基(ji)礎的半(ban)導體(ti)/電子(zi)設(she)備相(xiang)比在技術(shu)方(fang)面非常出色,以(yi)有力(li)的領域崛起。本報告以(yi)全球(qiu)SiC半(ban)導體(ti)市場。

科銳推出封裝型1700V碳化矽肖特基二極管_中國LED在線

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1.碳(tan)(tan)化(hua)矽(xi):SiliconCarbideSiCNi-SiCsinteredsiliconcarbide2.碳(tan)(tan)漬碳(tan)(tan)化(hua)矽(xi):impregnated-carbonsiliconcarbide3.碳(tan)(tan)化(hua)矽(xi)晶絲:silicon。

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2011年4月(yue)22日-飛(fei)兆半(ban)導體(ti)(ti)(FaIRchildSemicONductor)宣布收(shou)購(gou)(gou)碳(tan)化矽(SiliconCarbide,SiC)功率電(dian)晶體(ti)(ti)供應商TranSiC,該(gai)公司表示(shi),這(zhe)項收(shou)購(gou)(gou)為飛(fei)兆半(ban)導體(ti)(ti)帶來(lai)具有充分驗證(zheng)之。

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飛兆收購碳化矽功率電晶體供應商TranSiC-行業新聞

實(shi)驗(yan)中(zhong)(zhong)以不同(tong)含量的(de)(de)奈(nai)米(mi)級碳化(hua)矽(xi)(xi)粉末(50nm)分散(san)於氮化(hua)矽(xi)(xi)基材中(zhong)(zhong),利用適當的(de)(de)溶劑與分散(san)劑及配合行星式高能量球磨機,有效分散(san)碳化(hua)矽(xi)(xi)於基地中(zhong)(zhong);并利用熱壓燒結制備SiC。

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2013年9月23日(ri)-(社2013年9月23日(ri)電)根據美國商業資訊報導,東(dong)芝公司(ToshibaCorporation)(TOKYO:6502)宣布將擴充其650V碳化矽(SiC)肖(xiao)特(te)基勢壘二極體(SBD)系列。

碳化矽-[其他,其他]-全球塑膠網

綠色(se)碳(tan)化矽產(chan)品代碼GC色(se)澤Green硬度9.3熔點2200℃化學(xue)成(cheng)份SiliconCarbide(SiC)99.20%FreeCarbon(F.C)0.10%FreeSilicon(Si)0.。

奈米碳化矽/氮化矽復合陶瓷之制備微結構及機械性質之研究

[圖文]在(zai)半導體領域常用的是4H-SiC和(he)6H-SiC兩種,碳化矽與其他半導體材料具有相似的特性,4H-SiC的飽和(he)電子速度是Si的兩倍,從而為(wei)SiC元件提供(gong)了較(jiao)高(gao)的電流密度和(he)較(jiao)高(gao)。

東芝擴充碳化矽肖特基勢壘二極體系列|yam蕃薯藤財金

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綠色碳化矽-厚健股份有限公司

2013年8月9日-科銳公司(Cree)宣布新擴展(zhan)的1,200V碳(tan)化矽(SiC)功率(lv)MOSFET產品組合,將被納(na)入DeltaElektronikaBV公司進的電源供(gong)應器(qi)中。DeltaElektronika。

SiC的產業應用

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成份表SIC(97%以上)莫式硬(ying)度:9.15比(bi)重(zhong):3.22顏(yan)色(se)(se):黑色(se)(se)包(bao)裝:25kg/鋼(gang)珠(zhu)、金鋼(gang)砂、碳化(hua)矽、玻璃珠(zhu)、氧化(hua)鋁、各(ge)式研(yan)磨(mo)材(cai)碳化(hua)硼噴嘴(zui)、耐(nai)磨(mo)零件(jian)。

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2013年8月19日-產(chan)品列表檢(jian)測(ce)設(she)備碳化(hua)矽(xi)綠碳化(hua)硅微粉給我留言738352480(BlackSiC,GreenSiC)MarketforAutomotive,Aerospace,Military,。

進口碳化矽磨料-中國供應商

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[圖文]碳化矽/SiC除(chu)了Al2O3基(ji)板外(wai),目前用于氮化鎵生長的基(ji)板是SiC,它在(zai)市場上的占有率位居,它有許多(duo)突出的優點(dian),如化學穩定(ding)性(xing)好、導電(dian)性(xing)能(neng)好、導熱性(xing)能(neng)好、不。

全球碳化矽市場到2018年將達38.2億美元

2011年4月27日-繼科銳(rui)(Cree)于今年1月中發表業(ye)界商用碳化(hua)矽(SiC)功率金(jin)屬(shu)氧化(hua)物半導體場效電(dian)晶(jing)體(PowerMOSFET)后,快捷(Fairchild)日前也宣布(bu)收購(gou)TranSiC,正式。

湖北金剛砂13810134390環保項目合作-中國供應商

藍寶石碳化矽兩強相爭勝負未定,矽基板GaN基板可能會異軍突起

商用進展邁大步SiC功率半導體前景看俏-免費IC網-免費電子元