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16高抑煙型阻燃劑(ji)納米(mi)氫氧(yang)(yang)化(hua)鎂(mei)的制(zhi)備及表面處理新方法(fa)(fa)17管式熱法(fa)(fa)煉(lian)鎂(mei)生產(chan)工(gong)藝及其設備18過氧(yang)(yang)化(hua)鎂(mei)的制(zhi)備方法(fa)(fa)19活(huo)性氫氧(yang)(yang)化(hua)鎂(mei)的調整方法(fa)(fa)20間(jian)接(jie)輕燒(shao)。
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本發明(ming)(ming)涉(she)及一種高溫超導材(cai)料(liao)(liao)氧化(hua)鎂單晶的(de)生產方法(fa)和制(zhi)備(bei)設備(bei),本發明(ming)(ming)的(de)方法(fa)是通過(guo)(guo)以下步驟實(shi)現的(de):原料(liao)(liao)制(zhi)作(1):制(zhi)品處理(2);通過(guo)(guo)在周邊使用MGO96%以上重質氧化(hua)鎂材(cai)料(liao)(liao)。
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2005年3月3日-二、單晶(jing)氧化(hua)鎂(mei)常規生長技術單晶(jing)氧化(hua)鎂(mei)一般是在大功率,三相電弧爐熔(rong)制,這種方法的優點:生產量(liang)大,設備結(jie)構簡單。缺點是:由于(yu)石(shi)墨電極在熔(rong)制過程中進入。
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47利用(yong)硼泥生(sheng)產氧化鎂單晶(jing)(jing)的方法48用(yong)TiO<sub;2</sub;超細粉(fen)焰熔法人工(gong)合成金紅(hong)石單晶(jing)(jing)的方法和設備(bei)49一種制備(bei)金屬(shu)合金粉(fen)末(mo)的方法50硼酸鉍晶(jing)(jing)體的坩(gan)堝(guo)下(xia)降法。
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一種(zhong)高溫(wen)超(chao)導材料(liao)氧化鎂單(dan)晶的生產方法(fa),其特征(zheng)在于(yu):是(shi)通過以(yi)下步驟實現(xian)的:原料(liao)制作:礦石-。
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9、低氧化鎂(mei)絕熱材料及其生產方法10、低氧化鎂(mei)鎂(mei)硅鐵(tie)產品的生產工藝和設備(bei)1125、利用(yong)硼泥生產氧化鎂(mei)單晶的方法26、利用(yong)余熱爐(lu)內焙燒(shao)礦石制(zhi)取(qu)電熔(rong)氧化鎂(mei)。
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13、硅(gui)基納米(mi)粉生(sheng)(sheng)產(chan)線輸粉,收粉設備14、硅(gui)片和(he)生(sheng)(sheng)產(chan)單晶硅(gui)的方法15、硅(gui)微粉和(he)鋯55200310123644.1用礦熱(re)爐生(sheng)(sheng)產(chan)低氧(yang)化鎂(mei)(mei)稀土鈣鎂(mei)(mei)硅(gui)鐵合金的冶煉(lian)工藝56。
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2011年11月28日-同(tong)步逆(ni)位(wei)煅(duan)燒(shao)爐(lu)(lu)生產高活(huo)性(xing)氧化鎂張(zhang)國臣,李新平,張(zhang)娟,韓艷敏(min)(1.焦作市霧神化工(gong)機械有限公司;2.焦作市技師學院)摘要簡要介紹(shao)了同(tong)步逆(ni)位(wei)煅(duan)燒(shao)爐(lu)(lu)的原(yuan)理。
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.0爐外(wai)預熱分解制取電熔(rong)氧(yang)化(hua)(hua)鎂(mei)工藝及其設備1402107661.8氨全(quan)循環法生產氫氧(yang)化(hua)(hua)鎂(mei)和(he)氧(yang)化(hua)(hua)鎂(mei)114200680009667.1單晶氧(yang)化(hua)(hua)鎂(mei)及其制造方法115。
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172利用硼泥生(sheng)產(chan)(chan)氧化(hua)(hua)鎂(mei)(mei)單(dan)晶的方(fang)法(fa)251一種氧化(hua)(hua)鎂(mei)(mei)制備方(fang)法(fa)013一種制取改性氫080低氧化(hua)(hua)鎂(mei)(mei)鎂(mei)(mei)硅鐵產(chan)(chan)品的生(sheng)產(chan)(chan)工(gong)藝(yi)和設備196真空煤炭(tan)熱還(huan)原氧化(hua)(hua)鎂(mei)(mei)礦提取金屬鎂(mei)(mei)。
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一(yi)種利用硼泥生(sheng)產氧化(hua)鎂(mei)單晶(jing)的方法(fa),將(jiang)硼泥經300-600℃輕燒處理后,以(yi)1∶10-20的固液比(bi),液體為(wei)水,在壓力罐(guan)中混合(he),通入來自(zi)石灰窯的二氧化(hua)碳氣(qi),濃(nong)度為(wei)10-35%,。
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鈦酸鍶(si)單晶基片上外延生長氧化(hua)鎂納米線的(de)方法,涉及(ji)(ji)微電子(zi)材料領域,特別涉及(ji)(ji)應用于(yu)氧化(hua)物(氧化(hua)鎂)-復(fu)合(he)氧化(hua)物(鈦酸鍶(si))異質外延中納米線及(ji)(ji)其表(biao)面周期結構(gou)的(de)制備方法。
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