SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶(jing)材料的(de)硬(ying)度及脆性大,且化學(xue)穩(wen)定性好(hao),故如何獲得高(gao)平面精(jing)度的(de)無損傷晶(jing)片表面已成為其廣泛應用所必須解決的(de)重要問題。本論文采用定向(xiang)切(qie)割晶(jing)片的(de)方法,分別研究了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要:SiC單(dan)晶的(de)材質既硬且脆(cui),加(jia)工(gong)(gong)(gong)難(nan)度(du)很大。本文(wen)介紹(shao)了加(jia)工(gong)(gong)(gong)SiC單(dan)晶的(de)主要方法,闡述(shu)了其加(jia)工(gong)(gong)(gong)原理、主要工(gong)(gong)(gong)藝參(can)數對加(jia)工(gong)(gong)(gong)精(jing)度(du)及效率的(de)影響,提出(chu)了加(jia)工(gong)(gong)(gong)SiC單(dan)晶片今后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械密封環表面微織構激光加工(gong)(gong)(gong)工(gong)(gong)(gong)藝符永宏祖權紀敬(jing)虎楊東(dong)燕符昊摘(zhai)要:采(cai)用聲光調(diao)Q二極管泵(beng)浦Nd:YAG激光器,利用"單脈沖(chong)同點間隔多次"激光加工(gong)(gong)(gong)工(gong)(gong)(gong)藝,。
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由于(yu)SiC硬度(du)非常高,對單(dan)晶后(hou)續的加工造成很多(duo)困難(nan),包括切割和磨拋(pao).研究發現利用圖中顏(yan)色較深的是摻(chan)氮條(tiao)紋,晶體(ti)生長45h.從(cong)上述移動坩(gan)堝(guo)萬方數(shu)據812半導體(ti)。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘(zhai)要:SiC陶瓷以(yi)其優異的性能得(de)到廣泛的應用,但(dan)是其難以(yi)加工的缺(que)點限制了應用范圍。本文對磨(mo)削方法加工SiC陶瓷的工藝參數進(jin)行了探討(tao),其工藝參數為(wei)組合(he):粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日(ri)-LED半導體照明網訊(xun)日(ri)本上市(shi)公司薩姆(mu)肯(Samco)發布了新型晶(jing)片盒生產(chan)蝕(shi)刻系(xi)(xi)統(tong),處理SiC加工,型號為RIE-600iPC。系(xi)(xi)統(tong)主(zhu)要(yao)應用(yong)在碳化硅功率儀器平面加工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日-日本上市公司薩姆肯(ken)(Samco)發布了新型晶片盒(he)生產(chan)蝕刻系統,處理SiC加工(gong),型號(hao)為RIE-600iPC。系統主要應用在碳化硅功率儀器平面加工(gong)、SiCMOS結構(gou)槽刻。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛(gang)石線鋸SiC表面裂紋加(jia)工質量(liang)摘要:SiC是第三代半導體(ti)材(cai)料的核心之一(yi),廣泛(fan)用于制作(zuo)電子器件,其加(jia)工質量(liang)和精度直(zhi)接影響(xiang)到(dao)器件的性能。SiC晶體(ti)硬(ying)度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采(cai)用聲光調Q二極管泵浦(pu)Nd:YAG激(ji)光器,利用“單(dan)脈沖(chong)同點間(jian)隔多(duo)次”激(ji)光加工(gong)工(gong)藝(yi),對碳化硅(gui)機(ji)械密封試樣端面(mian)進行(xing)激(ji)光表(biao)面(mian)微(wei)織構的加工(gong)工(gong)藝(yi)試驗研究.采(cai)用Wyko-NTll00表(biao)面(mian)。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
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日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
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日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛(gang)石(shi)多線切割設(she)備(bei)在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看(kan)全文下載全文導出(chu)添加到(dao)引(yin)用通知分(fen)享到(dao)。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月17日-SiC陶(tao)瓷與鎳基高溫合(he)(he)金的熱壓反應燒結(jie)連接段輝平李樹杰張永(yong)剛劉深張艷黨紫九劉登科摘(zhai)要:采用Ti-Ni-Al金屬復合(he)(he)焊(han)料粉末,利(li)用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀(dao)具(ju)加工(gong)SiC顆(ke)粒(li)增強鋁基復合材料(liao)的公道切削(xue)速度〔摘要〕通過(guo)用掃(sao)描電鏡(jing)等方式檢測PCD刀(dao)具(ju)的性能,并與自(zi)然(ran)金剛石的相關參數進行比較,闡明(ming)了(le)PCD刀(dao)具(ju)的優(you)異性能。
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石(shi)(shi)墨SiC/Al復(fu)合材料壓力浸滲力學性能加工(gong)性能關鍵詞(ci):石(shi)(shi)墨SiC/Al復(fu)合材料壓力浸滲力學性能加工(gong)性能分類號:TB331正文快照(zhao):0前言siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文]2012年11月(yue)29日-為了研究(jiu)磨(mo)(mo)削(xue)工(gong)藝(yi)參數(shu)對(dui)SiC材料磨(mo)(mo)削(xue)質量的影響規律,利用DMG銑磨(mo)(mo)加工(gong)做(zuo)了SiC陶瓷平面磨(mo)(mo)削(xue)工(gong)藝(yi)實驗,分析研究(jiu)了包括主軸轉(zhuan)速、磨(mo)(mo)削(xue)深(shen)度(du)、進(jin)給速度(du)在內的。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究(jiu)方(fang)向:微(wei)(wei)納(na)設計(ji)與加(jia)(jia)工(gong)(gong)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)、SiCMEMS技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)、微(wei)(wei)能源技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)微(wei)(wei)納(na)設計(ji)與加(jia)(jia)工(gong)(gong)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)微(wei)(wei)納(na)米加(jia)(jia)工(gong)(gong)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu):利(li)用深刻蝕加(jia)(jia)工(gong)(gong)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu),開發(fa)出(chu)適合(he)于大規模(mo)加(jia)(jia)工(gong)(gong)的高(gao)精(jing)度微(wei)(wei)納(na)復合(he)結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶(jing)體生長和(he)加工SiC是重要的(de)寬禁帶半導體,具有高(gao)熱導率(lv)、高(gao)擊(ji)穿場(chang)強等特性和(he)優勢(shi),是制作(zuo)高(gao)溫、高(gao)頻(pin)、大功率(lv)、高(gao)壓以及(ji)抗輻射(she)電子器件(jian)的(de)理(li)想材料(liao),在軍工、航天(tian)。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介(jie)簡單地介(jie)紹了發(fa)(fa)光二極管的(de)(de)發(fa)(fa)展歷(li)程,概述了LED用(yong)SiC襯(chen)底(di)的(de)(de)超精密研磨(mo)技術的(de)(de)現狀(zhuang)及發(fa)(fa)展趨勢,闡述了研磨(mo)技術的(de)(de)原理、應用(yong)和優(you)勢。同時結(jie)合實驗室(shi)X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年(nian)(nian)6月(yue)6日-磨(mo)料(liao)(liao)是用于磨(mo)削加工(gong)和(he)制做磨(mo)具的一種(zhong)基(ji)礎材料(liao)(liao),普(pu)通(tong)磨(mo)料(liao)(liao)種(zhong)類主要有剛玉和(he)1891年(nian)(nian)美國卡不倫登公(gong)司的E.G艾奇遜用電(dian)阻爐(lu)人工(gong)合成并發明SiC。1893年(nian)(nian)。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩擦(ca)加(jia)工SiC復合層對鎂合金(jin)(jin)摩擦(ca)磨損(sun)性(xing)能的(de)影響分享到(dao):分享到(dao)QQ空間收藏推薦鎂合金(jin)(jin)是目前(qian)輕的(de)金(jin)(jin)屬結構材(cai)料(liao),具有(you)密度低、比(bi)強度和(he)比(bi)剛度高、阻尼減震性(xing)。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜(zong)述了半導體材(cai)料(liao)SiC拋光(guang)技(ji)術的(de)(de)發(fa)展,介紹了SiC單晶(jing)片CMP技(ji)術的(de)(de)研究(jiu)現狀,分(fen)析了CMP的(de)(de)原(yuan)理和工藝參數(shu)對(dui)拋光(guang)的(de)(de)影響,指出了SiC單晶(jing)片CMP急待解決的(de)(de)技(ji)術和理論問題(ti),并對(dui)其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年在國內率先完成1.3m深焦比輕質非(fei)球面(mian)(mian)反(fan)射鏡的(de)研(yan)究工(gong)(gong)作,減(jian)重比達到65%,加工(gong)(gong)精度優于(yu)17nmRMS;2007年研(yan)制成功1.1m傳(chuan)輸型詳查相機SiC材料離軸非(fei)球面(mian)(mian)主鏡,加工(gong)(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日(ri)-近日(ri),三(san)菱電(dian)機宣布,開發出了(le)能夠(gou)一次將一塊多晶碳化硅(gui)(SiC)錠切割成40片SiC晶片的(de)多點放電(dian)線切割技術。據(ju)悉,該技術有望(wang)提高SiC晶片加(jia)工的(de)生產(chan)效(xiao)率,。
SiC晶體生長和加工
加(jia)工(gong)圓孔(kong)孔(kong)徑(jing)(jing)范(fan)圍:200微(wei)米(mi)—1500微(wei)米(mi);孔(kong)徑(jing)(jing)精(jing)度:≤2%孔(kong)徑(jing)(jing);深寬(kuan)/孔(kong)徑(jing)(jing)比:≥20:1(3)飛秒(miao)激光數控機床的微(wei)孔(kong)加(jia)工(gong)工(gong)藝:解決戰略型CMC-SiC耐高溫材料微(wei)孔(kong)(直徑(jing)(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛(wei)輝市車船(chuan)機電有(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si)(si)(si)csic衛(wei)輝市車船(chuan)機電有(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si)(si)(si)是中(zhong)國船(chuan)舶重工集團公(gong)(gong)司(si)(si)(si)聯營是否(fou)提供(gong)加工/定制服(fu)務(wu):是公(gong)(gong)司(si)(si)(si)成立時間:1998年公(gong)(gong)司(si)(si)(si)注(zhu)冊地:河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激(ji)光(guang)加(jia)工激(ji)光(guang)熔覆陶瓷(ci)涂層耐(nai)腐蝕性(xing)極(ji)(ji)化曲線(xian)關鍵字(zi):激(ji)光(guang)加(jia)工激(ji)光(guang)熔覆陶瓷(ci)涂層耐(nai)腐蝕性(xing)極(ji)(ji)化曲線(xian)采(cai)用激(ji)光(guang)熔覆技(ji)術,在45鋼表(biao)面對含(han)量(liang)不同的(de)SiC(質量(liang)。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研發了(le)SiC晶片加工(gong)工(gong)藝:選取適當種(zhong)類、粒度、級配(pei)的磨料和(he)加工(gong)設(she)備來切割、研磨、拋光、清(qing)洗和(he)封(feng)裝的工(gong)藝,使產品達到(dao)了(le)“即(ji)開即(ji)用”的水(shui)準(zhun)。圖7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離(li)軸非(fei)球(qiu)面SiC反射(she)鏡的精密銑磨加工技術,張(zhang)志宇;李銳鋼(gang);鄭立功;張(zhang)學(xue)軍;-機械工程學(xue)報(bao)2013年(nian)第17期在線閱(yue)讀、文章下(xia)載(zai)。<正(zheng);0前(qian)言1環繞地球(qiu)軌道運行的空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日-加(jia)工(gong)電流非常小,Ie=1A,加(jia)工(gong)電壓為170V時,SiC是加(jia)工(gong)的,當Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另(ling)外(wai),Iwanek還得出了“臨界電火花(hua)加(jia)工(gong)限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營(ying)范圍:陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)軸(zhou)承(cheng);陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)噴嘴(zui);sic密(mi)(mi)封件;陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)球;sic軸(zhou)套;陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)生(sheng)產(chan)加(jia)(jia)(jia)工機械(xie);軸(zhou)承(cheng);機械(xie)零部件加(jia)(jia)(jia)工;密(mi)(mi)封件;陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)加(jia)(jia)(jia)工;噴嘴(zui);噴頭;行業類別:計(ji)算機產(chan)品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因此,本文對IAD-Si膜層的微觀結(jie)構、表(biao)面(mian)形貌及抗熱(re)振蕩性能進行了研究,這不(bu)僅對IAD-Si表(biao)面(mian)加工具(ju)有指導意義,也能進一步證明RB-SiC反射鏡表(biao)面(mian)IAD-Si改性技術的。